АНУ нь чип халаалтыг дарахын тулд өндөр дулаан дамжуулалттай хагас дамжуулагч материалыг бүтээдэг.
Чип дэх транзисторын тоо нэмэгдэхийн хэрээр компьютерийн тооцооллын гүйцэтгэл сайжирсаар байгаа ч өндөр нягтрал нь олон халуун цэгүүдийг үүсгэдэг.
Дулааны менежментийн зөв технологигүй бол процессорын ажиллах хурдыг удаашруулж, найдвартай байдлыг бууруулахаас гадна хэт халалтаас сэргийлж, нэмэлт эрчим хүч шаардагдах шалтгаанууд бий болж, эрчим хүчний үр ашиггүй байдлын асуудал үүсдэг.Энэ асуудлыг шийдэхийн тулд Лос Анжелесийн Калифорнийн Их Сургууль 2018 онд маш өндөр дулаан дамжилтын илтгэлцүүр бүхий шинэ хагас дамжуулагч материалыг бүтээсэн бөгөөд энэ нь согоггүй борын арсенид, бор фосфидээс бүрдэх бөгөөд энэ нь одоо байгаа дулаан ялгаруулах материалтай төстэй юм. алмаз ба цахиурын карбид.харьцаа, дулаан дамжилтын илтгэлцүүрээс 3 дахин их.
2021 оны 6-р сард Лос Анжелесийн Калифорнийн Их Сургууль шинэ хагас дамжуулагч материалыг ашиглан өндөр хүчин чадалтай компьютерийн чиптэй хослуулан чипүүдийн дулаан үүсэхийг амжилттай дарж, улмаар компьютерийн гүйцэтгэлийг сайжруулсан.Судалгааны баг дулаан ялгаруулах нөлөөг сайжруулахын тулд борын арсенидын хагас дамжуулагчийг чип болон дулаан шингээгчийн хооронд дулаан шингээгч болон чип хоёрын нэгдэл болгон суулгаж, бодит төхөөрөмжийн дулааны удирдлагын гүйцэтгэлийн талаар судалгаа хийсэн.
Бор арсенидын субстратыг энергийн өргөн зайтай галлий нитридын хагас дамжуулагчтай холбосны дараа галлийн нитрид/борын арсенидын интерфейсийн дулаан дамжилтын илтгэлцүүр 250 МВт/м2К хүртэл өндөр, интерфейсийн дулааны эсэргүүцэл маш бага түвшинд хүрсэн нь батлагдсан.Бор арсенидын субстратыг хөнгөн цагаан галлийн нитрид/галийн нитридээс бүрдсэн дэвшилтэт өндөр электрон хөдөлгөөнт транзистор чиптэй хослуулсан бөгөөд дулаан ялгаруулах нөлөө нь алмаз эсвэл цахиурын карбидынхаас хамаагүй дээр гэдгийг баталж байна.
Судалгааны баг чипийг хамгийн их хүчин чадлаар ажиллуулж, өрөөний температураас хамгийн өндөр температур хүртэл халуун цэгийг хэмжсэн.Туршилтын үр дүнгээс харахад алмазан дулаан шингээгчийн температур 137 ° C, цахиурын карбидын дулаан шингээгч нь 167 ° C, борын арсенидын дулаан шингээгч нь ердөө 87 ° C байна.Энэхүү интерфейсийн маш сайн дулаан дамжилтын чанар нь бор арсенидын өвөрмөц фоник хамтлагийн бүтэц, интерфэйсийн нэгдлээс үүдэлтэй.Бор арсенидын материал нь зөвхөн өндөр дулаан дамжуулалттай төдийгүй жижиг интерфэйсийн дулааны эсэргүүцэлтэй байдаг.
Төхөөрөмжийг илүү өндөр ажиллуулахын тулд үүнийг дулаан шингээгч болгон ашиглаж болно.Цаашид холын зайн өндөр хүчин чадалтай утасгүй холбоонд ашиглах төлөвтэй байна.Үүнийг өндөр давтамжийн цахилгаан хэрэгсэл эсвэл электрон савлагааны салбарт ашиглаж болно.
Шуудангийн цаг: 2022 оны 8-р сарын 08